MOSFET的夹断效应介绍 |
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MOSFET的夹断效应介绍 MOSFET-Lec2,我们重点讲了两件事: 1、分析了自由电荷在沟道中的分布和行为,对后面理解其电路行为至关重要。 2、根据沟道中电荷的分布特点得出了I_D随V_GS和V_DS的变化的公式,进而得到了伏安特性曲线。 Fig. 1 这个公式有没有限制条件呢? 是不论V_GS和V_DS取任何值的时候都成立吗? OK,请往下看 全文内容: 夹断效应 pinch-off 重新修正我们的公式和V-I曲线 1、夹断效应 pinch-off 如下图Fig. 2,通过前两期的分析我们知道当漏极(D)电压高于源级(S)电压时,沟道中的电流分布式不一样的。 Fig. 2 我们分三种情况讨论这个事,前提是V_GS>V_TH,因为只有满足这个条件时,沟道中才能有足够多的自由电荷,才能形成电流,否则沟道相当于关闭状态。 ① V_GD>V_TH,此时沟道中的电荷分布为Fig. 3,此时沟道中的电流可以用红色框框中的公式来表示,没有问题。 Fig. 3 ② V_GD=V_TH,此时沟道中的电荷分布为Fig.4,靠近漏极的沟道中电荷数量为0,沟道末端的电压为V_D=V_G-V_TH,此时沟道中的电流也满足红色框框中的公式,而且I_D达到了公式中的最大值,即 Fig.1中的最高点。 Fig. 4 (3) V_GD Fig. 5 此时沟道的末端V_L'不等于V_D,沟道中的电流也就不满足红色框框中的公式,还记得Lec 2中公式推导中的那个积分吗? (不好意思,Lec 2中的积分公式写错了,更正如下) 由于沟道长度略微减小到L'和之前的长度L比,变化量可以忽略,左边的积分上下限不变,但是右边积分的上限不再是V_D,而是V_L'=V_G-V_TH,带入积分公式得 从这个式子中可以看出,当V_GD 夹断效应 。 2、重新修正我们的公式和V-I曲线 好,现在我们重新修正下公式,给出一个完整的公式:(因为通常用源级作为参考电压,所以不用V_GD这种表达,V_GD=V_GS-V_DS,所以夹断效应的条件就变成了 V_DS>V_GS-V_TH) 重新画出I_D随V_DS和V_GS的曲线为: OK,MOSFET的结构和电学特性到此为止就介绍的差不多了。 壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆”研发、生产与销售,20年行业经验,拥有先进全自动化双轨封装生产线、高速检测设备等,研发技术、芯片源自台湾,专业生产流程管理及工程团队,保障所生产每一批物料质量稳定和更长久的使用寿命,实现高度自动化生产,大幅降低人工成本,促进更好的性价比优势!选择壹芯微,还可为客户提供参数选型替代,送样测试,技术支持,售后服务等,如需了解更多详情或最新报价,欢迎咨询官网在线客服! 手机号/微信:13534146615 QQ:2881579535 |
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